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J-GLOBAL ID：200903060262246386

基板表面処理方法及びIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。

Inventor： 五所野尾 浩一 ,  伊藤 潤
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (3)： 小西 富雅 ,  中村 知公 ,  萩野 幹治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004283902
Publication number (International publication number)：2006100518
Application date： Sep. 29, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：

【課題】 半導体発光素子の基板表面に発光された光を散乱可能な凹凸を簡易に形成できる方法を提供する。 【解決手段】 エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する。 【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

エッチングとデポジションが同時に生じるように基板の表面をエッチング処理し、該基板表面へ光を散乱可能な凹凸を形成する、ことを特徴とする半導体発光素子用の基板表面処理方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H01L33/00 C ,  H01L21/302 101C

F-Term (10)：

5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004DB14 ,  5F004EA37 ,  5F004EB08 ,  5F041AA07 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA99

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-170909   Applicant：豊田合成株式会社
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-398452   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体発光デバイスおよびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-059187   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー