III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小西富雅 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001170909
Publication number (International publication number)：2002368263
Application date： Jun. 06, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】フリップチップタイプのIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、特性のばらつきを低減する。【解決手段】フリップチップタイプのIII族窒化物系化合物半導体素子において、発光面である基板表面をラフ面とし、放射光を当該面で散乱させる。

Claim (excerpt)：

基板の上にIII族窒化物系化合物半導体が積層されたIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、発光観測面側の基板面が光散乱性である、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

F-Term (16)：

5F041AA07 , 5F041AA10 , 5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CB15 , 5F041DA02 , 5F041DA09 , 5F041DA12 , 5F041DA18 , 5F041DB02 , 5F041DB09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-230512 Applicant：株式会社東芝
高効率白色発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-347959 Applicant：財団法人工業技術研究院
半導体発光装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-086460 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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