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J-GLOBAL ID：200903060363521841

プラズマエッチング装置及びエッチング方法

Inventor：
古田 秀昭

About 古田 秀昭


Applicant, Patent owner：
広島日本電気株式会社

About 広島日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999272755
Publication number (International publication number)：2001093890
Application date： Sep. 27, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】電極に印加されるバイアス電圧の変動によりエッチレートがばらつく。【解決手段】上部電極10Aまたは、下部電極10Bに印加されるバイアス電圧をバイアス検出器により検出し、比較演算回路8に記憶された標準バイアス電圧と比較し、その差の値をバイアス電圧と位相との関係曲線から位相差として位相調整器4に送り、上部及び下部電極に印加される高周波の位相差を補正する。
Claim (excerpt)：
エッチング室に設けられ試料を載置する平行平板型の下部電極と、この下部電極上に設けられた上部電極と、前記上部電極及び下部電極に整合器を介してそれぞれ接続され同一周波数を発生する上部高周波電源と下部高周波電源と、前記上部及び下部高周波電源間に接続された位相調整器と、前記上部電極または下部電極のバイアス電圧を検出し、標準バイアス電圧との差が所定の値になるように前記上部及び下部電極に印加される高周波の位相差を補正する位相補正手段とを含むことを特徴とするプラズマエッチング装置。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
F-Term (17)：
4K057DA11 ,  4K057DB20 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE11 ,  4K057DM05 ,  4K057DM17 ,  4K057DM18 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BC08 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB15
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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