プラズマ装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡本啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996217569
Publication number (International publication number)：1997120957
Application date： Aug. 19, 1996
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】プラズマプロセス中の諸特性に影響を与えることなく電子シェーディング効果を低減し、チャージダメージを抑制できるプラズマ装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板バイアス電極2と対向電極3との間の距離を電子の平均自由行程の2倍以下に設定する。そして、基板バイアス電極2に100kHz〜1MHzの高周波電力を供給し、対向電極3に1MHz〜100MHzの高周波電力を供給する。

Claim (excerpt)：

チャンバと、前記チャンバ内に配置されて半導体ウェハが搭載される第1の電極と、前記第1の電極に対向し且つ前記第1の電極から電子の平均自由行程の2倍以下の距離をおいて配置された第2の電極と、前記第1の電極に第1の周波数の高周波電力を供給する第1の高周波電源と、前記第2の電極に前記第1の周波数よりも周波数が高い第2の周波数の高周波電力を供給する第2の高周波電源と、前記チャンバ内にガスを供給するガス供給手段と、前記チャンバ内を排気する排気ポンプとを有することを特徴とするプラズマ装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 C , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-222132 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
プラズマ処理装置、処理装置及びエッチング処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-120869 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-174367 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

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