プラズマ処理装置及びその制御方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：亀谷美明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994330239
Publication number (International publication number)：1996162292
Application date： Dec. 05, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】低圧雰囲気であっても、良好な選択比及びエッチングレートを確保できるプラズマ処理装置を提供する。【構成】プラズマエッチング処理装置1は、処理室2内に配置され被処理体が載置される下部電極4と、下部電極4に対向する位置に配置される上部電極21とを備え、それぞれの電極には高周波電力が位相及び電力比率が個別制御されて印加可能に構成されており、要求されるエッチングレート及び/又は選択比に応じて、両電極間に印加される高周波電力の位相差及び電力比率とを制御することにより、100mTorr以下の低圧雰囲気であっても好適な選択比及びエッチングレートを得る。

Claim (excerpt)：

処理室内に配置され被処理体が載置される下部電極と、前記処理室内において前記下部電極に対向する位置に配置される上部電極と、前記上部電極に高周波電力を印加する第1高周波発振器と、前記下部電極に高周波電力を印加する第2高周波発振器とを備えたプラズマ処理装置において、前記第1高周波発振器の出力を位相制御するための第1位相制御器と、前記第2高周波発振器の出力を位相制御するための第2位相制御器とを設け、前記上部電極に印加される電力と前記下部電極に印加される電力との電力比率に応じて前記第1高周波発振器の出力と前記第2高周波発振器の出力との位相差を制御するように構成したことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/3065

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ドライエツチング方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-318330 Applicant：国際電気株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-279017 Applicant：日本真空技術株式会社
プラズマ処理装置およびその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-312683 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

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