Pat

J-GLOBAL ID：200903060472724868

架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物

Inventor： 大森 克実 ,  木下 洋平 ,  山田 知孝 ,  高山 寿一
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (1)： 阿形 明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000250175
Publication number (International publication number)：2002062656
Application date： Aug. 21, 2000
Publication date： Feb. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高解像性で耐エッチング性に優れ、しかも最近の薄膜化に対応しうるレジストパターンの形成が可能な化学増幅型の架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有してなるレジスト組成物において、(A)成分が、(a1)一般式【化1】(Rは水素原子又はメチル基)で表わされる構成単位、(a2)一般式【化2】(Rは前記と同じ)で表わされる構成単位、(a3)一般式【化3】(R1は水素原子又はメチル基、R2、R3及びR4の中の1個は多環式飽和炭化水素基であるか又はその中の2個で多環式飽和炭化水素環を形成しており、他は低級アルキル基)で表わされる構成単位及び(a4)一般式【化4】(R1は前記と同じ、R5及びR6は低級アルキル基、nは1〜3の整数、Aは単結合又はn+1価の有機基)で表わされる架橋型構成単位を含む共重合体である架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物とする。

Claim (excerpt)：

(A)酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂及び(B)放射線の照射により酸を発生する化合物を含有してなるレジスト組成物において、(A)成分が、(a1)一般式【化1】(式中のRは水素原子又はメチル基である)で表わされる構成単位、(a2)一般式【化2】(式中のRは前記と同じ意味をもつ)で表わされる構成単位、(a3)一般式【化3】(式中のR1は水素原子又はメチル基、R2、R3及びR4の中の1個は多環式飽和炭化水素基であるか又はその中の2個で多環式飽和炭化水素環を形成しており、他は低級アルキル基である)で表わされる構成単位及び(a4)一般式【化4】(式中のR1は前記と同じ意味をもち、R5及びR6は低級アルキル基、nは1〜3の整数、Aは単結合又はn+1価の有機基である)で表わされる架橋型構成単位を含む共重合体であることを特徴とする架橋形成ポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (11)：

G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/17 ,  C08K 5/5333 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027 ,  C08F212:08 ,  C08F220:18

FI (11)：

G03F 7/039 601 ,  C08F212/14 ,  C08K 5/00 ,  C08K 5/09 ,  C08K 5/17 ,  C08K 5/5333 ,  C08L 25/18 ,  G03F 7/004 501 ,  C08F212:08 ,  C08F220:18 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (40)：

2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB51 ,  2H025CC20 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  4J002BC121 ,  4J002DH029 ,  4J002EF098 ,  4J002EF118 ,  4J002EN027 ,  4J002EN107 ,  4J002EV296 ,  4J002EW049 ,  4J002EW129 ,  4J002FD156 ,  4J002GP03 ,  4J100AB02R ,  4J100AB07P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL62S ,  4J100AL63S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA16Q ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12Q ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 架橋されたポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098487   Applicant：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-235453   Applicant：東京応化工業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びパタ-ン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-018189   Applicant：信越化学工業株式会社