ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998235453
Publication number (International publication number)：2000066401
Application date： Aug. 21, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】感度、解像性が優れ、薄膜が設けられた基板に対して、断面に裾引きがなく、垂直なレジストパターンを形成しうるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】酸の作用によりアルカリ性水溶液への溶解度が増大する樹脂成分と放射線の照射により酸を発生する酸発生成分との組合せを含む放射線感応性ポジ型レジストに対し、リンのオキソ酸又はその誘導体を添加して、ポジ型レジスト組成物とする。また、薄膜を設けた基板上に、この組成物の塗膜を設け、マスクパターンを介して該塗膜を露光したのち加熱し、次いで現像処理して、レジストパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

酸の作用によりアルカリ性水溶液への溶解度が増大する樹脂成分と放射線の照射により酸を発生する酸発生成分との組合せを含む放射線感応性ポジ型レジストに対し、リンのオキソ酸又はその誘導体を添加したことを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (2)：

G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (13)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB52 , 2H025CC20 , 2H025DA40 , 2H025FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

フオトレジスト組成物及びエツチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-016232 Applicant：富士写真フイルム株式会社
ポジ型レジスト溶液
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-175709 Applicant：東京応化工業株式会社
レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-261054 Applicant：日本ゼオン株式会社

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