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J-GLOBAL ID：200903060498498610
相変化メモリを形成する方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004560261
Publication number (International publication number)：2006510218
Application date： Apr. 28, 2003
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：
相変化メモリ(10)は改善された特性を示し、平面的な構成において相変化材料層(14)を形成することにより一部の場合にコストを低減させる。ヒータ(16)は、相変化をもたらす材料(14)を適切に加熱するために相変化材料層(14)の下に備えられる。ヒータ(16)は適切な導体に結合されている。
Claim (excerpt)：
平面的相変化材料層を形成する段階;
前記平面的相変化材料層と熱的に接触している相変化材料ヒータを形成する段階;及び
導体に前記ヒータを結合させる段階;
を有することを特徴とする方法。
IPC (3)：
H01L 27/105
, G11C 13/00
, H01L 45/00
H01L27/10 448
, G11C13/00 A
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083PR01
, 5F083PR40
