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J-GLOBAL ID：200903060498498610

相変化メモリを形成する方法

Inventor： チアン,チエン ,  デニソン,チャールズ エイチ ,  ラウリー,タイラー エイ
Applicant, Patent owner： オヴォニクス,インコーポレイテッド
Agent (3)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004560261
Publication number (International publication number)：2006510218
Application date： Apr. 28, 2003
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

相変化メモリ(10)は改善された特性を示し、平面的な構成において相変化材料層(14)を形成することにより一部の場合にコストを低減させる。ヒータ(16)は、相変化をもたらす材料(14)を適切に加熱するために相変化材料層(14)の下に備えられる。ヒータ(16)は適切な導体に結合されている。

Claim (excerpt)：

平面的相変化材料層を形成する段階; 前記平面的相変化材料層と熱的に接触している相変化材料ヒータを形成する段階;及び 導体に前記ヒータを結合させる段階; を有することを特徴とする方法。

IPC (3)：

H01L 27/105 ,  G11C 13/00 ,  H01L 45/00

FI (3)：

H01L27/10 448 ,  G11C13/00 A ,  H01L45/00 A

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR01 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-519794   Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-268026   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ

Cited by examiner (2)

• 相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-519794   Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
• 不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-268026   Applicant：株式会社ルネサステクノロジ