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J-GLOBAL ID:200903060553564458

誘電体共振器、フィルタ、デュプレクサおよび高周波回路装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小森 久夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002282978
Publication number (International publication number):2004120516
Application date: Sep. 27, 2002
Publication date: Apr. 15, 2004
Summary:
【課題】側面を開放した誘電体ユニットの上下面に薄膜多層電極を設けてなる誘電体共振器を、より低損失動作できるようにする。また、その誘電体共振器を備えたフィルタ、デュプレクサおよび高周波回路装置を提供する【解決手段】導体薄膜21,23,31,33と誘電体薄膜22,32を交互に積層した薄膜多層電極2,3を誘電体ユニットの1の上下面に設けてTM010モード等の誘電体共振器を構成する場合、各層の導体薄膜に流入する変位電流が略等量となるように、各導体薄膜の面積を上層から下層にかけて順に小さくする。これにより、全体の導体損失を効果的に抑制するための、薄膜多層電極の誘電体薄膜の設計条件が広がる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
導体薄膜と誘電体薄膜とを交互に積層した薄膜多層電極を、側面を開放した誘電体ユニットの上下面に設けてなる誘電体共振器において、 前記誘電体薄膜の誘電率を前記誘電体ユニットの誘電率より小さくし、且つ、前記導体薄膜の各層に流入する変位電流が略等量となるように、各導体薄膜の面積を上層より下層にかけて順に小さくしたことを特徴とする誘電体共振器。
IPC (1):
H01P7/10
FI (1):
H01P7/10
F-Term (4):
5J006HC03 ,  5J006HC13 ,  5J006LA02 ,  5J006LA25
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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