シリコンウエハの熱処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：木下茂 , 石村理恵
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007319744
Publication number (International publication number)：2008182203
Application date： Dec. 11, 2007
Publication date： Aug. 07, 2008
Summary：

【課題】1100°C以上の高温熱処理によって原子レベルで平坦化されたシリコンウエハの表面について、前記シリコンウエハの表面のステップ・テラス構造を保持したまま、ウエハの表面粗さ(マイクロラフネス)を従来よりも低減化させ、かつ、このようなウエハの表面を安定的に形成することができるシリコンウエハの熱処理方法を提供する。【解決手段】シリコンウエハの表面にステップ・テラス構造を形成するシリコンウエハの熱処理方法において、シリコンウエハを、還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気の熱処理炉内で、1100°C以上で熱処理した後、降温時に炉内温度が500°C以上の段階で炉内雰囲気をアルゴンガスとし、シリコンウエハを炉出しするまでアルゴンガスを炉内に導入し続けることにより、前記シリコンウエハの表面のステップ・テラス構造を保持し、かつ、3μm×3μm当たりの2乗平均粗さRmsが0.06nm以下となるようにする。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

シリコンウエハの表面にステップ・テラス構造を形成するシリコンウエハの熱処理方法において、シリコンウエハを、還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気の熱処理炉内で、1100°C以上で熱処理した後、降温時に炉内温度が500°C以上の段階で炉内雰囲気をアルゴンガスとし、シリコンウエハを炉出しするまでアルゴンガスを炉内に導入し続けることにより、前記シリコンウエハの表面のステップ・テラス構造を保持し、かつ、3μm×3μm当たりの2乗平均粗さRmsが0.06nm以下となるようにすることを特徴とするシリコンウエハの熱処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 , H01L 21/324

FI (2)：

H01L21/02 B , H01L21/324 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特許第3292545号公報
傾斜表面シリコンウエハ及びその表面構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-087593 Applicant：東芝セラミックス株式会社
シリコンウェーハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-286114 Applicant：シルトロンインク

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Cited by examiner (2)

シリコンウェーハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-286114 Applicant：シルトロンインク
アニールウエーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-292539 Applicant：信越半導体株式会社

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