シリコンウェーハ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：中川周吉 , 中川裕幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004286114
Publication number (International publication number)：2005322875
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Nov. 17, 2005
Summary：

【課題】高温工程によるスリップ発生を完璧に制御し、素子の活性領域には均一且つ充分なDZ及びCOPフリー(free)領域を提供するとともに、バルク領域には高密度のBMDを有するシリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】前面、後面、周囲縁、及び前記前面と後面間の領域を有するシリコンウェーハにおいて、前記ウェーハの前面の表面から所定の深さまで形成されたCOP(Crystal Originated Particle)欠陥のない第1DZと、前記ウェーハの後面の表面から所定の深さまで形成されたCOP欠陥のない第2DZと、前記第1DZと前記第2DZとの間に形成され、BMD(Bulk Micro Defect)の濃度プロファイルがウェーハの前面から後面方向へ一定に維持される分布を有するバルク領域とを含み、前記シリコンウェーハは1E12atoms/cm3乃至1E14atoms/cm3範囲の窒素濃度を有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

前面、後面、周囲縁、及び前記前面と後面間の領域を有するシリコンウェーハにおいて、前記ウェーハの前面の表面から所定の深さまで形成されたCOP(Crystal Originated Particle)欠陥のない第1DZと、前記ウェーハの後面の表面から所定の深さまで形成されたCOP欠陥のない第2DZと、前記第1DZと前記第2DZとの間に形成され、BMD(Bulk Micro Defect)の濃度プロファイルがウェーハの前面から後面方向へ一定に維持される分布を有するバルク領域を含み、前記シリコンウェーハは1E12atoms/cm3 乃至1E14atoms/cm3範囲の窒素濃度を有するシリコンウェーハ。

IPC (1)：

H01L21/322

FI (1)：

H01L21/322 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

アニールウエーハの製造方法及びアニールウエーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-277216 Applicant：信越半導体株式会社
シリコンウエーハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-301900 Applicant：ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
アニールウェーハのボロン汚染消滅方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-252608 Applicant：三菱住友シリコン株式会社

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