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J-GLOBAL ID：200903094785813383

アニールウエーハの製造方法

Inventor： 小林 武史
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003292539
Publication number (International publication number)：2005064254
Application date： Aug. 12, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】アニールウエーハの製造において効率的に熱処理を行ないアニールウエーハの生産性を向上させるウエーハの製造方法を提供する。【解決手段】アニールウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう第1の熱処理工程と、前記熱処理したインゴットをウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハを熱処理する第2の熱処理工程を有することを特徴とするアニールウエーハの製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

アニールウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう第1の熱処理工程と、前記熱処理したインゴットをウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハを熱処理する第2の熱処理工程を有することを特徴とするアニールウエーハの製造方法。

IPC (1)：

H01L21/322

FI (1)：

H01L21/322 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭60-231365号公報
  
• 特開昭61-193456号公報
  
• 特開昭61-193458号公報
  
• シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-021410   Applicant：信越半導体株式会社

Cited by examiner (4)

• シリコンウェーハのIG処理法及びこれにより作られたIGウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-227472   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社
• シリコン単結晶ウエ-ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ-ハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-044634   Applicant：信越半導体株式会社
• シリコン単結晶ウエ-ハおよびシリコン単結晶ウエ-ハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-063612   Applicant：信越半導体株式会社
• エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-248227   Applicant：住友金属工業株式会社