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J-GLOBAL ID：200903060616226264

集積回路とそのパターン設計方法及び設計装置

Inventor： 小島 清次郎 ,  辻川 洋行 ,  伊藤 光実
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997190795
Publication number (International publication number)：1999040672
Application date： Jul. 16, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】 集積回路における各配線層の配線面積がチップ面積に対して各々有する配線面積率を、均一化された最適な配線面積率にする。【解決手段】 集積回路1に、第1及び第2の配線層へ各々形成した第1層信号系配線10及び第2層信号系配線20と、第2の配線層へ形成した第2層電源系配線21と、該第2層電源系配線21の外縁から所定の第1のリサイズ値RS1だけ内側に、かつ、第1層信号系配線10の外縁から第1のリサイズ値RS1だけ外側に、第1の配線層へ形成した第1のダミーパターンDP1と、第1層信号系配線10と第2層信号系配線20と第2層電源系配線21とのいずれもが存在しない未配線領域において各配線の外縁から所定の第2のリサイズ値RS2だけ外側に、第1の配線層へ形成した第2のダミーパターンDP2とを備える。

Claim (excerpt)：

半導体基板に形成される集積回路であって、電源系配線と、信号系配線と、層間絶縁膜を介して前記電源系配線の領域と重なるように、かつ前記信号系配線に対して所定の間隔を保って形成された第1のダミーパターンとを備えたことを特徴とする集積回路。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ダミーパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-151143   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-336815   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-010425