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J-GLOBAL ID:200903060781376297
基板上に金属層を堆積させる方法および基板のトポグラフィカルフィーチャを3次元で測定するための方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
稲葉 良幸
, 大賀 眞司
, 大貫 敏史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006289077
Publication number (International publication number):2007177321
Application date: Oct. 24, 2006
Publication date: Jul. 12, 2007
Summary:
【課題】基板上に金属層を堆積させる方法および基板のトポグラフィカルフィーチャを3次元で測定するための方法の提供。【解決手段】前駆体ガスは、直径約0.7mmのガス噴射システムの管状ノズル50を用いてサンプル上方に導入される。約8×1017mol/cm2sのガス流が用いられる。図2に例示される実施形態においては、2つのノズル50および60が存在し、2種類の異なる前駆体ガス55、65が基板上方に導入される。対象となる領域を走査する走査電子顕微鏡の電子ビーム70は、前駆体ガス55、65を活性化させるために用いられ、この結果、選択された領域40の基板のトポグラフィカルフィーチャ上に金属層が堆積される。【選択図】図2
Claim (excerpt):
基板上に金属層を堆積させるための方法であって、
金属錯体を含むガス流を基板の一部分の上方に供給するステップと、
粒子ビームを用いてガスを活性化するステップと、
供給ステップおよび活性化ステップを一定時間停止するステップと、
供給ステップ、活性化ステップ、および停止ステップを有するサイクルを繰り返すステップとを含む方法。
IPC (7):
C23C 16/44
, H01J 37/317
, H01L 21/027
, H01J 37/20
, H01J 37/28
, H01J 37/30
, G01B 15/04
FI (8):
C23C16/44
, H01J37/317 E
, H01L21/30 502Z
, H01J37/20 F
, H01J37/28 B
, H01J37/30 Z
, H01J37/317 Z
, G01B15/04 B
F-Term (25):
2F067AA23
, 2F067AA27
, 2F067AA52
, 2F067BB16
, 2F067BB27
, 2F067CC13
, 2F067CC14
, 2F067CC15
, 2F067DD01
, 2F067HH06
, 2F067JJ05
, 2F067KK04
, 2F067KK06
, 2F067LL16
, 2F067RR41
, 4K030AA11
, 4K030BA01
, 4K030FA12
, 5C001AA01
, 5C001BB03
, 5C001CC01
, 5C001CC04
, 5C033UU03
, 5C034CC19
, 5F046AA28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
パターン形成方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-318213
Applicant:セイコーインスツルメンツ株式会社
-
金属配線形成方法および金属配線形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-305101
Applicant:三菱電機株式会社
-
薄膜形成方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-099262
Applicant:日本電気株式会社
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