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J-GLOBAL ID：200903060793077996

厚い単結晶ダイヤモンド層、それを造る方法及びその層から形成された宝石の原石

Inventor： スカースブルック、ジェフリー、アラン ,  マルティノー、フィリップ、モーリス ,  ドルン、ボルベル、シュザンヌ、シャルロッテ ,  クーパー、アンドリュー、マイケル ,  コリンズ、ジョン、ロイド ,  ホワイトヘッド、アンドリュー、ジョン ,  トウィッチェン、ダニエル、ジェイムズ ,  サスマン、リカルド、サイモン
Applicant, Patent owner： エレメント シックス (プロプライエタリイ)リミテッド
Agent (4)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  池田 幸弘 ,  長沼 暉夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002510742
Publication number (International publication number)：2004503461
Application date： Jun. 14, 2001
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

2mmより大きな厚さを有する高い品質の単結晶CVDダイヤモンドの層。そのようなCVDダイヤモンド層を製造する方法がまた提供される。その方法は、300ppb未満の窒素を含有する雰囲気における低い欠陥密度基体上のダイヤモンド層のホモエピタキシャル成長を包含する。宝石の原石をその層から造ることができる。

Claim (excerpt)：

2mmより大きな厚さを有する高い品質の単結晶CVDダイヤモンドの層。

IPC (5)：

C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

FI (6)：

C30B29/04 W ,  C30B29/04 A ,  C23C16/27 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 102

F-Term (32)：

4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077TB07 ,  4G077TC17 ,  4G077TK10 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA14 ,  4K030LA01 ,  5F004AA08 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AD12 ,  5F045AE19 ,  5F045AF01 ,  5F045BB16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 大サイズ単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-156171   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 電子工学用途のためダイヤモンド上に設置された密着性のニッケル及びクロム含有合金被膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-145038   Applicant：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• CVDダイヤモンド層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-206397   Applicant：デビアスインダストリアルダイアモンドデイビジヨン(プロプライエタリイ)リミテツド