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J-GLOBAL ID：200903060808763654

電位検出回路、半導体装置、及び半導体記憶装置

Inventor： 柳川 幹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998001582
Publication number (International publication number)：1999066855
Application date： Jan. 07, 1998
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、半導体装置に於て電位検出回路での電力消費を低減することを目的とする。【解決手段】第1の電圧を消費する半導体装置は、第1の電圧の電位を検出する電位検出回路と、消費が開始されるタイミングに応じて電位検出回路を所定期間動作させる制御回路を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の電圧を消費する半導体装置であって、該第1の電圧の電位を検出する電位検出回路と、該消費が開始されるタイミングに応じて該電位検出回路を所定期間動作させる制御回路を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  H02M 3/00

FI (3)：

G11C 11/34 354 F ,  H02M 3/00 ,  G11C 11/34 335 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ダイナミックメモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-276109   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平4-038786
  
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-153482   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-038786