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J-GLOBAL ID:200903060855034229
ダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤巻 正憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007157883
Publication number (International publication number):2007277088
Application date: Jun. 14, 2007
Publication date: Oct. 25, 2007
Summary:
【課題】活性化水素によるエッチング作用に対する耐性が低い非ダイヤモンド炭素材料を基材とするダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材を提供する。【解決手段】ダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材は、非ダイヤモンド炭素からなる基材1と、この基材上に形成され結晶子の平均直径が10nm以下である微結晶ダイヤモンド膜2からなる中間層と、この中間層上に形成され結晶子の平均直径が20nm以上であるダイヤモンド膜3と、を有する。基材1はアモルファス炭素又はグラファイトからなるか、又は熱間静水圧加圧処理された炭素材料からなることが好ましい。【選択図】図1
Claim (excerpt):
非ダイヤモンド炭素からなる基材と、この基材上に形成され結晶子の平均直径が10nm以下である微結晶ダイヤモンドからなる中間層と、この中間層上に形成され結晶子の平均直径が20nm以上であるダイヤモンド膜と、を有することを特徴とするダイヤモンド被覆非ダイヤモンド炭素部材。
IPC (6):
C30B 29/04
, C23C 16/27
, C01B 31/02
, C01B 31/04
, C01B 31/06
, C04B 35/52
FI (6):
C30B29/04 X
, C23C16/27
, C01B31/02 101A
, C01B31/04 101A
, C01B31/06 A
, C04B35/52 G
F-Term (48):
4G077AA03
, 4G077AB09
, 4G077BA03
, 4G077DB07
, 4G077DB19
, 4G077EA02
, 4G077EB01
, 4G077EF03
, 4G077TA04
, 4G077TB07
, 4G077TK01
, 4G132AA02
, 4G132AA10
, 4G132BA04
, 4G132BA07
, 4G132BA13
, 4G132BA18
, 4G132CA02
, 4G132CA06
, 4G132CA17
, 4G132GA44
, 4G132GA53
, 4G132GA58
, 4G146AA01
, 4G146AA02
, 4G146AA04
, 4G146AA19
, 4G146AB05
, 4G146AB07
, 4G146AC14A
, 4G146AC14B
, 4G146AD02
, 4G146AD06
, 4G146AD23
, 4G146AD26
, 4G146AD28
, 4G146AD29
, 4G146CB03
, 4G146CB11
, 4G146CB16
, 4G146CB23
, 4G146CB32
, 4K030AA09
, 4K030BA28
, 4K030BB13
, 4K030CA05
, 4K030FA01
, 4K030HA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
ダイヤモンドヘテロ接合整流素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-315611
Applicant:株式会社神戸製鋼所, コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
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電子素子並びにそれを使用するダイオード、トランジスタ及びサイリスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-266325
Applicant:株式会社神戸製鋼所
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特開昭61-189671号公報
Cited by examiner (2)
-
プラズマエッチング用電極板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-220712
Applicant:イビデン株式会社
-
特開昭63-307196
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