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J-GLOBAL ID：200903030918149882

電子素子並びにそれを使用するダイオード、トランジスタ及びサイリスタ

Inventor：
川上 信之

About 川上 信之

, 
横田 嘉宏

About 横田 嘉宏


Applicant, Patent owner：
株式会社神戸製鋼所

About 株式会社神戸製鋼所


Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000266325
Publication number (International publication number)：2002076369
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 耐熱性、耐放射線性及び高周波応答性が優れ、高温用デバイス、大電力用デバイス及び高周波電子デバイスに適した電子素子において、オーミック電流を抑制し、高濃度にドープされた半導体からチャネルへのキャリア注入の障壁エネルギを低減して空間電荷制限電流の立ち上がり電界を小さくした高効率な電子素子及びこの電子素子を使用したダイオード、トランジスタ及びサイリスタを提供する。【解決手段】 絶縁体ダイヤモンド結晶基板1上にキャリア濃度を1015cm-3以下の高抵抗率な半導体ダイヤモンド薄膜5を設け、これを挟むようにキャリア濃度が1020cm-3以上の低抵抗率な半導体ダイヤモンド薄膜2a及び2bを設け、半導体ダイヤモンド薄膜5、2a及び2bの伝導型を同じにする。更に、半導体ダイヤモンド薄膜2a、2b及び5上に夫々ソース電極11a、ドレイン電極11b及びゲート電極9aを設ける。
Claim (excerpt)：
電流チャネルとなる第1の半導体領域と、この第1の半導体領域に接合し第1の半導体領域と同じ伝導型で前記第1の半導体領域よりも抵抗率が低い第2の半導体領域と、を有し、前記第1の半導体領域は、その動作温度での平衡状態におけるキャリア濃度が1015cm-3以下であることを特徴とする電子素子。
IPC (6)：
H01L 29/861 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/786 ,  H01L 33/00
FI (7)：
H01L 21/28 301 B ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 33/00 A ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/74 G ,  H01L 29/78 618 B
F-Term (53)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104GG20 ,  5F005CA02 ,  5F041AA11 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA54 ,  5F041CA55 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F110AA30 ,  5F110BB12 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK08 ,  5F110HK25 ,  5F110HK27 ,  5F110HK35 ,  5F110HL02 ,  5F110HL23 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (11)
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