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J-GLOBAL ID：200903060895375258

半絶縁性炭化ケイ素基板上の窒化物系トランジスタ

Inventor： シェパード,スコット・トーマス ,  アレン,スコット・トーマス ,  パルモア,ジョン・ウィリアムズ
Applicant, Patent owner： クリー インコーポレイテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000560616
Publication number (International publication number)：2002520880
Application date： Jun. 02, 1999
Publication date： Jul. 09, 2002
Summary：

【要約】半絶縁性炭化ケイ素基板、該基板上の窒化アルミニウム緩衝層、該緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層、該窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウム活性構造、該窒化アルミニウム・ガリウム活性構造上のパッシベーション層、および該窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するソース、ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクトを含んでいる高電子移動度トランジスタ(HEMT)が開示される。

Claim (excerpt)：

高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって: 半絶縁性炭化ケイ素基板; 該基板上の窒化アルミニウム緩衝層; 該緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層; 該窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウムの活性構造; 該窒化アルミニウム・ガリウム活性構造上のパッシベーション層;および 該窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するソース、ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクトを含んでなる、上記の高電子移動度トランジスタ(HEMT)。

IPC (4)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/26

FI (2)：

H01L 29/26 ,  H01L 29/80 H

F-Term (17)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒素含有半導体物質のデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-096411   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-146563   Applicant：ソニー株式会社
• 窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-170541   Applicant：ソニー株式会社
• 成長結晶基板並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-057645   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• High Speed High Power AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors with improved Ohmic Contact