半導体装置の作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995132901
Publication number (International publication number)：1996139020
Application date： May. 06, 1995
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】単結晶シリコンウエハーを用いたトランジスタと同等の特性を有する薄膜トランジスタを提供する。【構成】下地膜(酸化珪素膜)102が形成された非晶質珪素膜103上に珪素の結晶化を助長する金属元素(ニッケル)を含有した溶液(ニッケル酢酸塩溶液)を塗布する。そして加熱処理を施すことにより、ニッケルシリサイドの層を形成し、パターニングを施すこにより、106と107で示されるシリサイド層を形成する。そして非晶質珪素膜108を成膜し、さらに加熱処理を加えることにより、109や110で示される結晶成長を行わせ、単結晶と見なせる領域であるモノドメイン領域111と113を形成する。そしてこのモノドメイン領域111と113を用いて薄膜トランジスタの活性層を構成する。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に第1の非晶質珪素膜を形成する工程と、前記第1の非晶質珪素膜に接して珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、加熱処理を加え前記第1の非晶質珪素膜を結晶化させる工程と、該工程において結晶化された珪素膜をパターニングし結晶成長核となる層を形成する工程と、前記結晶成長核となる層を覆って第2の非晶質珪素膜を形成する工程と、前記結晶成長核となる層から結晶成長を行わせ前記第2の非晶質珪素膜中に実質的に結晶粒界の存在しない領域を形成する工程と、前記結晶成長が行われた実質的に結晶粒界が含まれない領域を用いて活性層を構成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

多結晶シリコン薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-070991 Applicant：三洋電機株式会社
半導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-048532 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平4-288817

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