高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266869
Publication number (International publication number)：2002155118
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： May. 28, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>〜R<SP>3</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、各単位中のR<SP>1</SP>〜R<SP>3</SP>は互いに同一でも異なっていてもよい。R<SP>4</SP>は少なくとも一つ以上のフッ素原子を含む、炭素数1〜20のフッ素化された1価炭化水素基である。R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はそれぞれ酸不安定基、密着性基であり、0<k+m+n≦1である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れているうえに、エステル側鎖へのフッ素の導入により透明性が著しく向上し、それと同時に優れた解像性を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>〜R<SP>3</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、各単位中のR<SP>1</SP>〜R<SP>3</SP>は互いに同一でも異なっていてもよい。R<SP>4</SP>は少なくとも一つ以上のフッ素原子を含む、炭素数1〜20のフッ素化された1価炭化水素基である。R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はそれぞれ酸不安定基、密着性基であり、0<k+m+n≦1である。)

IPC (5)：

C08F220/22 , C08F220/16 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (5)：

C08F220/22 , C08F220/16 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (38)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC05 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025EA10 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03R , 4J100BA11R , 4J100BA20R , 4J100BA31R , 4J100BA40R , 4J100BB17P , 4J100BC02Q , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC07Q , 4J100BC07R , 4J100BC08Q , 4J100BC09Q , 4J100BC12Q , 4J100BC22Q , 4J100BC23Q , 4J100BC26R , 4J100BC52R , 4J100BC60R , 4J100BC65R , 4J100BC79R , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-338701 Applicant：セントラル硝子株式会社
ポジ型感放射線性組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-106856 Applicant：東レ株式会社

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