電界効果型トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003128861
Publication number (International publication number)：2004335688
Application date： May. 07, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：

【課題】キャリア移動度を高めることを可能とする電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、(A)半導体層17に形成されたチャネル形成領域18、並びに、(B)ゲート絶縁層13を介して、チャネル形成領域18に対向して設けられたゲート電極12を少なくとも有し、半導体層17は半導体材料層15と導電性粒子16とが混在して成る。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

(A)半導体層に形成されたチャネル形成領域、並びに、 (B)ゲート絶縁層を介して、チャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極、を少なくとも有する電界効果型トランジスタであって、半導体層は、半導体材料層と導電性粒子とが混在して成ることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28

F-Term (50)：

5F110AA01 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110QQ06 , 5F110QQ08 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平3-255669
有機薄膜トランジスタ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-115425 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-265170 Applicant：パイオニア株式会社

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Cited by examiner (4)

特開平3-255669
有機薄膜トランジスタ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-115425 Applicant：コニカミノルタホールディングス株式会社
有機半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-265170 Applicant：パイオニア株式会社

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