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J-GLOBAL ID：200903061027010258

磁気抵抗効果素子

Inventor： 岸 均 ,  北出 康博 ,  小林 和雄 ,  菊地 英幸 ,  小田切 充
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994215893
Publication number (International publication number)：1996083937
Application date： Sep. 09, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】磁気センサや磁気ヘッド等に使用されるスピンバルブMR膜を有する磁気抵抗効果素子に関し、信号磁界に対してより大きな磁気抵抗の変化率を得ること。【構成】非磁性金属膜によって仕切られる2つの強磁性層13,15のうち少なくとも反強磁性層に接する側の強磁性層15をニッケルを5〜40atoms %、コバルトを30〜95atoms %の割合で含有しているコバルト・ニッケル・鉄合金から形成する。

Claim (excerpt)：

軟磁性材よりなる第一の強磁性層と、ニッケルを5〜40atoms %、コバルトを30〜95atoms %の割合で含有しているコバルト・ニッケル・鉄合金よりなる第二の強磁性層と、前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層の間に形成された非磁性金属層と、前記第二の強磁性層に接して形成された反強磁性層とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気記録再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-018430   Applicant：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-054934   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁性薄膜メモリおよびその記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-234539   Applicant：三菱電機株式会社