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J-GLOBAL ID：200903061050155611
アニールウェーハの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002381755
Publication number (International publication number)：2004072066
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：
【課題】シリコンウェーハの結晶欠陥が存在せず、シリコンウェーハ表面でボロン濃度が一定で均一な比抵抗値を持つ高品質なアニールウェーハを製造することができ、シリコンウェーハの熱処理效率が高く、製造元価を低減させることができるアニールウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハをアルゴン(Ar)ガスまたは窒素(N2)ガス、これらを含む不活性ガスのいずれか一つのガス雰囲気中の熱処理炉で約500°Cに予熱する第1熱処理段階と、シリコンウェーハの表面に吸着したボロンを除去するために熱処理炉内のガス雰囲気を100%水素ガス雰囲気に変え、約850°C〜1150°C内の一定温度まで昇温させながら熱処理する第2熱処理段階と、熱処理炉内のガス雰囲気を100%アルゴンガス雰囲気に変え、約1200°Cに昇温させた後、温度を維持しながら約1時間熱処理する第3熱処理段階と、熱処理炉内の温度を約500°C以下に降温する降温段階とを含む。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
シリコンウェーハをアルゴン(Ar)ガスまたは窒素(N2)ガス、これらを含む不活性ガスのいずれか一つのガス雰囲気中の熱処理炉で約500°Cに予熱する第1熱処理段階と、
シリコンウェーハの表面に吸着したボロンを除去するために前記熱処理炉内のガス雰囲気を100%水素(H2)ガス雰囲気に変え、約850°C〜1150°C内の一定温度まで昇温させながら熱処理する第2熱処理段階と、
熱処理炉内のガス雰囲気を100%アルゴンガス雰囲気に変え、約1200°Cに昇温させた後、前記温度を維持しながら約1時間熱処理する第3熱処理段階と、
熱処理炉内の温度を約500°C以下に降温する降温段階と、
を含むことを特徴とするアニールウェーハの製造方法。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
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