ボロンドープされたシリコンウエハの熱処理方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000389777
Publication number (International publication number)：2002190478
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】低濃度にボロンがドープされたシリコンウエハに対しても、ウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の十分な均一化を図るということを達成することができる方法を提供する。【解決手段】ボロンドープされたシリコンウエハをアルゴン雰囲気下で熱処理をするにあたって、当該熱処理の初期段階において、当該アルゴン雰囲気を適宜水素雰囲気或いは「アルゴンガスと水素ガスの混合気」に切り換えることによって、前記ボロンドープされたシリコンウエハのウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の均一化を図る。

Claim (excerpt)：

ボロンドープされたシリコンウエハをアルゴン雰囲気下で熱処理を行うにあたって、当該アルゴン雰囲気を適宜水素雰囲気或いは「アルゴンガスと水素ガスの混合気」に切り換えることによって、熱処理後の「ボロンドープされたシリコンウエハ」のウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の均一化を図る方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 , C30B 29/06

FI (2)：

H01L 21/324 X , C30B 29/06 B

F-Term (4)：

4G077AA02 , 4G077BA04 , 4G077EB01 , 4G077FE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-167433
シリコンウエーハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-309953 Applicant：東芝セラミックス株式会社
エピタキシャルウエハ用シリコン基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-022161 Applicant：東芝セラミックス株式会社

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