アニールウェーハの製造方法およびアニールウェーハ

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石原詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000287607
Publication number (International publication number)：2002100634
Application date： Sep. 21, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】シリコンウェーハ表面に環境からの付着ボロンを有するウェーハに不活性ガス雰囲気で熱処理を行なったとしても、ウェーハ表面の抵抗率の変化が発生しないような熱処理方法を用い、さらに、このような熱処理を、気密性を高めるためのシール構造や防爆設備等の特別な設備を必要とすることのない通常の拡散炉にて可能とするアニールウェーハの製造方法及びウェーハ表面近傍のボロン濃度が一定であり、かつ結晶欠陥の消滅したアニールウェーハを提供する。【解決手段】表面に自然酸化膜が形成され、かつ環境からのボロンが付着したシリコンウェーハに対し、水素ガス含有雰囲気による熱処理を行うことにより前記自然酸化膜が除去される前に前記付着ボロンを除去し、その後不活性ガス雰囲気により熱処理することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

表面に自然酸化膜が形成され、かつ環境からのボロンが付着したシリコンウェーハに対し、水素ガス含有雰囲気による熱処理を行うことにより前記自然酸化膜が除去される前に前記付着ボロンを除去し、その後不活性ガス雰囲気により熱処理することを特徴とするアニールウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 , H01L 21/304 645

FI (2)：

H01L 21/324 W , H01L 21/304 645 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体基板の熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-138536 Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
ウエハの表面清浄化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-047458 Applicant：ソニー株式会社
シリコンウエーハ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-309953 Applicant：東芝セラミックス株式会社

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