汚染地盤や廃棄物埋立地盤の浄化方法およびその浄化装置

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：一色健輔 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999331912
Publication number (International publication number)：2001145872
Application date： Nov. 22, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】浄化促進成分を超高圧で短時間の間隔でパルス状になして間欠的に汚染地盤(廃棄物埋立地盤をも含む)中に注入し、該浄化促進成分を爆発的に吹き込むことにより、この浄化促進成分をより遠くかつより広範囲に到達させて汚染地盤の浄化能力を大幅に向上させる。【解決手段】汚染地盤12に挿入した注入井14に超高圧をもって浄化促進成分を短時間の間隔でパルス状にして間欠的に供給し、この注入井14の噴出口14aから超高圧の浄化促進成分を所定の間欠タイミングをもって該汚染地盤12中に注入する。これによって浄化促進成分をラビリンス効果をもって爆発的に汚染地盤12中に吹き込み、浄化促進成分をより遠くかつより広範囲に到達させる。

Claim (excerpt)：

汚染地盤や廃棄物埋立地盤に挿入した注入井に超高圧をもって浄化促進成分を短時間の間隔でパルス状にして間欠的に供給し、この注入井の噴出口から超高圧の浄化促進成分を該汚染地盤や廃棄物埋立地盤中に吹き込むことを特徴とする汚染地盤の浄化方法。

IPC (2)：

B09C 1/04 ZAB , B09C 1/10 ZAB

FI (2)：

B09B 5/00 ZAB S , B09B 3/00 ZAB E

F-Term (9)：

4D004AA41 , 4D004AC07 , 4D004CA18 , 4D004CA34 , 4D004CA36 , 4D004CA50 , 4D004CC02 , 4D004CC11 , 4D004CC20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

汚染土壌、汚染地下水の浄化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-248218 Applicant：キヤノン株式会社
汚染土壌の浄化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-078963 Applicant：キヤノン株式会社, ライト工業株式会社
汚染土壌・汚染地下水の浄化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-217283 Applicant：キヤノン株式会社

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-248218 Applicant：キヤノン株式会社
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