薄膜トランジスタの製造方法及び液晶ディスプレイ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199980
Publication number (International publication number)：1997074201
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】優れた特性の多結晶シリコン膜を備えた半導体装置のスループットを向上させること。【解決手段】ガラス基板1上に非晶質シリコン膜を形成し、この非晶質シリコン膜をレーザーアニールして多結晶シリコン膜2を形成し、この多結晶シリコン膜2の上に、ゲート絶縁膜3を介してゲート電極を形成し、前記多結晶シリコン膜2に、ソース/ドレインとなる不純物領域6を形成し、前記不純物領域6をRTA法を用いて急速加熱することにより活性化する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された能動層の結晶化ための熱処理の温度を、前記基板が変形しない程度の温度に設定し、この熱処理に用いた方法とは異なる熱処理方法で不純物の活性化を行うことを特徴とした薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (6)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 27/12

FI (5)：

H01L 29/78 627 G , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R , H01L 21/26 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-043672 Applicant：株式会社高度映像技術研究所
特開昭62-104117
特開昭63-029924

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