単結晶の製造方法および製造装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：広瀬章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007128019
Publication number (International publication number)：2008280225
Application date： May. 14, 2007
Publication date： Nov. 20, 2008
Summary：

【課題】坩堝に収容された、単結晶原料が溶解している融液に、種結晶基板を接触させ、基板上に単結晶を成長させる液相エピタキシー法によるバルク単結晶の成長における欠陥発生を、オフ角を利用せずに抑制する方法を提供する。【解決手段】単結晶が成長面[例、(0001)面]に対して鏡映対称性を有していない結晶構造を持つ、SiCやAlN等のIV族またはIII-V族化合物半導体である場合に、基板保持具4と坩堝6に電源3から通電して、単結晶の成長面と基板2の単結晶成長面とは反対側の面との間にパルス電圧を印加しながら単結晶を成長させる。坩堝6と結晶保持具4は導電性の材質とし、結晶保持具4の先端部の周囲には、この保持具4と融液1との電気的接触を防止するための絶縁材5を配置する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

坩堝に収容された単結晶原料が溶解している融液に単結晶成長用の種結晶基板を接触させ、少なくとも前記種結晶基板周辺において前記融液中の単結晶原料の濃度を過飽和とすることによって前記基板上に結晶を成長させる単結晶の製造方法であって、単結晶が、成長面に対して鏡映対称性を有していない結晶構造を持ち、単結晶の成長面と基板の単結晶成長面とは反対側の面との間に電圧を印加しながら結晶を成長させる、ことを特徴とする、単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 19/10 , C30B 29/36 , C30B 30/02

FI (3)：

C30B19/10 , C30B29/36 A , C30B30/02

F-Term (17)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077CG02 , 4G077CG05 , 4G077EA05 , 4G077EA06 , 4G077EG05 , 4G077EG25 , 4G077EJ01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077QA04 , 4G077QA11 , 4G077QA52 , 4G077QA54 , 4G077RA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

米国特許第4912064号明細書
米国特許第5011549号明細書
米国特許第5248385号明細書

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Cited by examiner (6)

特開昭49-053766
特開昭60-065799
特開昭57-106594

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