炭化珪素基板およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (2)：上代哲司 , 神野直美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004096678
Publication number (International publication number)：2005286038
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 13, 2005
Summary：

【課題】電子デバイスの高性能化のために、炭化珪素{0001}面において、低オフ角面、理想的には、ほぼオフ無し面へのホモエピタキシャル成長を実現すること、並びに前記のホモエピタキシャル成長層における表面欠陥密度を低減すること。そして、ホモエピタキシャル成長層の表面を、可能な限り平坦にすること。【解決手段】炭化珪素の(000-1)C面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の0.1μm以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応によって除去する表面層除去工程とを有することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法、および前記製造方法により得られる炭化珪素基板。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

炭化珪素の(000-1)C面を、機械加工する機械加工工程と、前記機械加工工程後に、前記炭化珪素の表面層の0.1μm以上を、酸素原子含有物質または溶融アルカリを用いた化学反応によって除去する表面層除去工程とを有することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。

IPC (4)：

H01L21/20 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/205

FI (4)：

H01L21/20 , C30B25/20 , C30B29/36 A , H01L21/205

F-Term (24)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB01 , 4G077ED04 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077EE02 , 4G077HA05 , 4G077TC17 , 4G077TK01 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4G077TK10 , 5F045AA03 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD18 , 5F045AE29 , 5F045BB12 , 5F045HA04 , 5F045HA06 , 5F052KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

米国特許第4912064号公報
米国特許第5011549号公報
米国特許第5242385号公報

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Cited by examiner (6)

炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-186523 Applicant：日本碍子株式会社, 財団法人ファインセラミックスセンター
炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-278699 Applicant：三洋電機株式会社
炭化珪素膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-322331 Applicant：松下電器産業株式会社

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