ドープド半導体材料、ドープド半導体材料の製造方法、および半導体デバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000177538
Publication number (International publication number)：2001044569
Application date： Jun. 13, 2000
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除すること。【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第1のドーパントと該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第2のドーパントとを含む半導体材料であって、該第2のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。

Claim (excerpt)：

半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第1のドーパントと該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第2のドーパントとを含む半導体材料であって、該第2のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である、半導体材料。

IPC (5)：

H01S 5/323 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/22 , H01L 21/324

FI (5)：

H01S 5/323 , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01L 21/22 P , H01L 21/324 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

p型半導体膜および半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-332199 Applicant：株式会社東芝
III-V族化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-116645 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-335712 Applicant：松下電器産業株式会社

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