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J-GLOBAL ID：200903061229913969
フィルムキャリアおよびそれを用いてなる半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995165792
Publication number (International publication number)：1997017829
Application date： Jun. 30, 1995
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：
【要約】【構成】 本発明のフィルムキャリアFは、導電性回路4の両面に絶縁体層5a、5bが積層され、該積層体に、外部基板11との接続用の導通部7および半導体素子3との接続用の導通部9が形成され、半導体素子との接続用エネルギーの供給を意図する部位にて該導電性回路4が露出していることを特徴とするものである。また、本発明の半導体装置は、上記フィルムキャリアFに半導体素子を実装してなるものである。【効果】 半導体素子との接続用エネルギーが、絶縁体層によって減衰することなく効率的に利用されるため、半導体素子の実装を容易かつ効率的に行うことができる。
Claim (excerpt)：
導電性回路の両面に絶縁体層が積層され、該積層体に、外部基板との接続用の導通部および半導体素子との接続用の導通部が形成され、半導体素子との接続用エネルギーの供給を意図する部位にて該導電性回路が露出していることを特徴とするフィルムキャリア。
IPC (2)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
H01L 21/60 311 W
, H01L 21/60 311 R
, H01L 21/60 311 S
