基板処理方法および基板処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003295269
Publication number (International publication number)：2005064375
Application date： Aug. 19, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】基板の表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的にかつ短時間で除去することができ、基板表面のエッチング量が多くなることもない基板処理技術を提供すること。【解決手段】ウエハに対して、アルカリ性処理液の液滴の噴射(ステップS2)、酸性処理液の供給(ステップS3)、アルカリ性処理液の液滴の噴射(ステップS4)を順に実行する。ウエハ表面に付着したパーティクルは、酸性処理液による基板表面のエッチングと、液滴の噴射または超音波振動の物理的作用とを組み合わせることによって、効果的にかつ短時間で除去される。ウエハ表面に付着した金属汚染物質は、アルカリ性処理液により水酸化物に変化させた後、酸性処理液により溶解させることができるため、効果的にかつ短時間で除去される。また、主に基板表面のエッチングによってパーティクルや金属汚染物質を除去する場合と異なり、基板表面のエッチング量を抑えることができる。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

基板処理方法であって、基板に対してアルカリ性の処理液を供給する第1の工程と、前記第1の工程の後に、基板に対して酸性の処理液を供給する第2の工程と、前記第2の工程の後に、基板に対してアルカリ性の処理液を供給する第3の工程と、を含み、少なくとも前記第2の工程における処理液の供給と前記第3の工程における処理液の供給のいずれか一方は、当該処理液と気体とを混合して生成される液滴の噴射、または超音波振動を付与した当該処理液の供給であることを特徴とする基板処理方法。

IPC (2)：

H01L21/304 , H01L21/027

FI (4)：

H01L21/304 647Z , H01L21/304 643C , H01L21/304 643D , H01L21/30 572B

F-Term (3)：

5F046MA02 , 5F046MA05 , 5F046MA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体基板の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-055697 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (4)

基板処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-293790 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
シリコンウェーハの洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-132617 Applicant：信越半導体株式会社
基板表面洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-145977 Applicant：三菱化学株式会社

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