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J-GLOBAL ID：200903034792645272

シリコンウェーハの洗浄方法

Inventor：
田中 紀通

About 田中 紀通


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 荒船 良男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001132617
Publication number (International publication number)：2002329691
Application date： Apr. 27, 2001
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 短時間でニッケル濃度を低下させることができるシリコンウェーハの洗浄方法を提供する。【解決手段】 シリコンウェーハ1の表面に酸化膜3を形成する酸化膜形成洗浄と、該形成した酸化膜3を除去する酸化膜除去洗浄とを、他の薬液洗浄を挟まずに複数回繰り返す。酸化膜形成洗浄は、オゾン水、SC1洗浄液、SC2洗浄液のいずれかを用いて酸化膜3を形成する工程である。酸化膜除去洗浄は、前記酸化膜形成洗浄後のシリコンウェーハ1の酸化膜3をフッ酸を用いて除去する洗浄である。
Claim (excerpt)：
シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成する酸化膜形成洗浄と、該形成した酸化膜を除去する酸化膜除去洗浄とを、他の薬液洗浄を挟まずに複数回繰り返すことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 647
FI (2)：
H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 647 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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