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J-GLOBAL ID：200903057248026550

半導体基板の洗浄方法

Inventor： 逢坂 勉 ,  岡本 彰
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997055697
Publication number (International publication number)：1998256211
Application date： Mar. 11, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 短い洗浄時間で半導体基板上のパーティクル、金属汚染、分子状有機汚染を除去できる半導体基板の洗浄方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体基板の洗浄方法は、シリコン基板をオゾン水によって15秒程度の処理時間で洗浄処理する工程と、このシリコン基板を希フッ酸によって20秒程度の処理時間で洗浄処理する工程と、を具備することを特徴とする。従って、短い洗浄時間で半導体基板上のパーティクル、金属汚染、分子状有機汚染を除去できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板をオゾン水による酸化膜の成長速度の変化点に対応する時間程度の処理時間でオゾン水洗浄処理をする工程と、この半導体基板を、該オゾン水によって成長した酸化膜のみを除去する処理時間で希フッ酸によって洗浄処理する工程と、を具備することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体ウェハの洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-294374   Applicant：株式会社東芝
• 疎水性シリコンウエハの洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-331648   Applicant：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
• 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-164967   Applicant：株式会社東芝