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J-GLOBAL ID：200903061514988409

半導体およびその製造方法

Inventor： デビット ポール バー
Applicant, Patent owner： ゼロックス コーポレイション
Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999214602
Publication number (International publication number)：2000058920
Application date： Jul. 29, 1999
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 合金偏析による構造劣化を受けにくく、光電特性の優れた高インジウム量の活性領域の成長が可能な半導体構造を提供する。【解決手段】 本発明にかかる半導体構造は、核形成層と、前記核形成層上に成長させた厚いInGaN層と、前記厚いInGaN層上に形成した活性層と、を備える。

Claim (excerpt)：

核形成層と、前記核形成層上に成長させた厚いInGaN層と、前記厚いInGaN層上に形成した活性層と、を備えることを特徴とする半導体。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01S 5/343

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 Z ,  H01S 3/18 677

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-086645   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝