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J-GLOBAL ID：200903013277257513

半導体発光素子

Inventor： 大内 洋一郎 ,  只友 一行 ,  渡部 信一 ,  平松 和政
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996086645
Publication number (International publication number)：1997283799
Application date： Apr. 09, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 活性層の材料にInGaN系材料を用いながら、その結晶性を良好に維持したままでInの組成比を高い値にでき、高輝度な赤色の光を放出させることも可能な発光素子を提供すること。【解決手段】 発光素子のダブルヘテロ接合構造3を構成するn型クラッド層31、活性層32、p型クラッド層33を、全てInGaN系材料によって形成する。これら各層を良好な結晶性とするには、結晶基板1上に、バッファ層2を介して、ダブルヘテロ接合構造3を成長させることが好ましい。結晶基板には、サファイア、6H-SiC、MgAl2 O4 (スピネル)、LiAlO2 、LiGaO2 等が挙げられ、バッファ層には、AlN、GaN、InGaN、AlGaN等が挙げられる。バッファ層とダブルヘテロ接合構造の形成方法は共にMOVPEが好ましい。活性層のInx Ga1-x Nは、0.7≦xで赤色発光が得られる。

Claim (excerpt)：

ダブルヘテロ接合構造を発光部として有し、前記ダブルヘテロ接合構造を構成するp型クラッド層、活性層、n型クラッド層が、全てInGaN系半導体材料によって形成されたものであることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-062812   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子、および半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-189566   Applicant：ローム株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079045   Applicant：日亜化学工業株式会社