ヘテロ接合型電界効果トランジスタ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997178471
Publication number (International publication number)：1998214962
Application date： Jul. 03, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明は、短チャンネル効果を抑制し、しきい値変動を低減し、歩留りの向上を図ることができるヘテロ接合型トランジスタ構造を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板5上に設けたドーピングされていない半導体で形成したチャネル層3と、このチャネル層3よりバンドギャップが広くドーピングされた半導体で形成した第1の電子供給層2と、このチャネル層よりバンドギャップが広くドーピングされた半導体で形成されかつ厚さが100Å以下の第2の電子供給層1とを、チャネル層3を下側から第1の電子供給層2、上側から第2の電子供給層1で挟むように設け、さらに第2の電子供給層上にゲート電極8、ソース電極7およびドレイン電極9を備えたことを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタ。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けたドーピングされていない半導体で形成したチャネル層と、このチャネル層よりバンドギャップが広くドーピングされた半導体で形成した第1の電子供給層と、このチャネル層よりバンドギャップが広くドーピングされた半導体で形成されかつ厚さが100Å以下の第2の電子供給層とを、チャネル層を下側から第1の電子供給層、上側から第2の電子供給層で挟むように設け、さらに第2の電子供給層上にゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を備えたことを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-234959 Applicant：住友電気工業株式会社
高電子移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-017496 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平2-178935

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