プラズマ放出装置及びプラズマ処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石島茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998195290
Publication number (International publication number)：2000031121
Application date： Jul. 10, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】大型の基板や、液晶表示装置用のガラス基板等の大型基板をプラズマ処理する際に、均一な高密度プラズマを生成する技術に関する。【解決手段】反応ガスをプラズマ化するプラズマ発生源20を複数有し、このプラズマ発生源20の全てにほぼ同じ密度のプラズマを発生させることができる。このため、かかる複数のプラズマ発生源20を処理対象となる基板8の大きさや形状に合わせて均等に配置することで、基板8の大きさにかかわらず全面にわたって均一なプラズマ密度のプラズマを生成し、プラズマ処理をすることができる。

Claim (excerpt)：

一対の放電電極と、前記放電電極間内にある放出口とを有し、前記一対の放電電極間にガスが導入されると共に高周波電圧が印加されると、前記ガスがプラズマ化され、前記放出口から放出されるように構成されたプラズマ発生源が複数設けられたことを特徴とするプラズマ放出装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

F-Term (23)：

4K057DA11 , 4K057DB11 , 4K057DD01 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DM06 , 4K057DM28 , 4K057DM39 , 4K057DN01 , 5F004AA01 , 5F004BA06 , 5F004BA08 , 5F004BB07 , 5F004BB13 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH13 , 5F045EH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-186837 Applicant：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
プラズマ処理方法および処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-288888 Applicant：松下電子工業株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-101985 Applicant：株式会社フロンテック

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