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J-GLOBAL ID：200903003767116971

プラズマ処理装置

Inventor：
竹谷 元伸

About 竹谷 元伸


Applicant, Patent owner：
株式会社フロンテック

About 株式会社フロンテック


Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996101985
Publication number (International publication number)：1997270299
Application date： Mar. 31, 1996
Publication date： Oct. 14, 1997
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、プラズマ密度が高く、均一で大面積なプラズマが形成でき、かつ、被処理体に対するプラズマダメージの少ないプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、少なくとも2つ以上の径の異なる環状電極2a,2b,2cと、前記環状電極2a,2b,2cにより形成された電場に対して垂直な方向に磁場を形成する磁場発生手段とを有し、隣り合う位置に配置された前記環状電極2a,2bに、異なる位相を有する交流電力を印加する交流電源3a,3bが接続されたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
少なくとも2つ以上の径の異なる環状電極と、前記環状電極により形成された電場に対して垂直な方向に磁場を形成する磁場発生手段とを有し、隣り合う位置に配置された前記環状電極に、異なる位相を有する交流電力を印加する交流電源が接続されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (5)：
H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • プラズマプロセス装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-049761   Applicant：木下治久, ローツェ株式会社, 株式会社アドテック
  • プラズマ処理方法および処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-288888   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 特開平4-361530
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