成膜源、真空成膜装置、有機EL素子の製造方法、有機EL素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小橋信淳 , 小橋立昌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004150954
Publication number (International publication number)：2005330551
Application date： May. 20, 2004
Publication date： Dec. 02, 2005
Summary：

【課題】指向性の高い成膜を行う。【解決手段】真空成膜装置の成膜源10であって、成膜材料を収容する材料収容部11と、材料収容部11内の成膜材料を加熱する加熱手段12と、材料収容部の噴出口11aに設けられた整流部13とを備え、整流部13は、微細な開口13aに仕切られた流路13bを有し、整流部13の各開口13aの断面積Sa、整流部13の噴出端から被成膜面までの距離L、整流部13の中心直上の被成膜面における成膜材料の成膜レートRに基づいて、設定された高い指向性を得る。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

成膜材料を加熱して昇華又は蒸発させることによって生成される成膜材料の原子流又は分子流を被成膜面に向けて照射することで、該被成膜面上に薄膜を形成する真空成膜装置の成膜源であって、前記成膜材料を収容する材料収容部と、該材料収容部内の成膜材料を加熱する加熱手段と、前記材料収容部の噴出口に設けられた整流部とを備え、前記整流部は、微細な開口に仕切られた流路を有し、前記整流部の各開口の断面積Sa、前記整流部の噴出端から被成膜面までの距離L、前記整流部の中心直上の被成膜面における前記成膜材料の成膜レートRに基づいて、設定された指向性を得ることを特徴とする成膜源。

IPC (4)：

C23C14/24 , C23C14/12 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (4)：

C23C14/24 R , C23C14/12 , H05B33/10 , H05B33/14 A

F-Term (12)：

3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4K029AA09 , 4K029BA62 , 4K029BB02 , 4K029BB03 , 4K029BC00 , 4K029BC03 , 4K029BC07 , 4K029CA01 , 4K029DB17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

真空蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-013829 Applicant：ソニー株式会社
蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-098638 Applicant：株式会社アルバック

Cited by examiner (2)

真空蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-013829 Applicant：ソニー株式会社
蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-098638 Applicant：株式会社アルバック

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