蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿部英樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002098638
Publication number (International publication number)：2003293120
Application date： Apr. 01, 2002
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】膜厚を均一化して画素内の充填率を向上させる蒸発源及びこれを用いた薄膜形成装置を提供する。【解決手段】本発明の蒸発源3は、所定の蒸発材料を収容する長尺の容器本体30を備える。この蒸発源3は、容器本体30の長手方向に沿ってホール形状の蒸発孔34が設けられている。各蒸発孔34は、そのアスペクト比が1以上になるように構成されている。本発明によれば、指向性の強い蒸発特性となるため、画素内における膜厚の均一化を図ることができ、これにより画素内への蒸発材料の充填率を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

所定の蒸発材料を収容する長尺の容器本体を備え、前記容器本体の長手方向に沿って設けられた蒸発孔を有する蒸発源であって、前記蒸発孔は、そのアスペクト比が1以上になるように構成されていることを特徴とする蒸発源。

IPC (3)：

C23C 14/24 , H05B 33/10 , H05B 33/14

FI (3)：

C23C 14/24 A , H05B 33/10 , H05B 33/14 A

F-Term (10)：

3K007AB11 , 3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4K029BA64 , 4K029BC07 , 4K029DB00 , 4K029DB12 , 4K029DB13 , 4K029DB18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

発光装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-142465 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
成膜装置及び成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-394259 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
有機化合物容器、有機蒸発源、及び真空蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-074436 Applicant：日本真空技術株式会社

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