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J-GLOBAL ID：200903061912098103

高誘電率金属酸化物絶縁膜を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor：
村岡 浩一

About 村岡 浩一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001295367
Publication number (International publication number)：2003101014
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：
【要約】【課題】 誘電率の高い金属絶縁膜を備えた低リーク且つ高信頼のMIS型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン酸化膜よりも熱的に安定な金属酸化物を含むゲート絶縁膜を有するMIS型半導体装置において、ゲート絶縁膜形成後の熱処理が650°Cを超える工程の雰囲気にヘリウムガスを添加し、更にこの熱処理工程の雰囲気中に含まれる酸素及び水の分圧の和を133×1011.703-18114/TPa(Tは熱処理温度(K))以下に制御することで、シリサイド化の抑制と界面酸化膜厚増加の抑制を両立することができる。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に高誘電率金属酸化物膜を形成する工程と、前記高誘電率金属酸化物膜形成工程後に、酸素及び水の分圧の和が、133*1011.703-18114/TPa(Tは前記熱処理温度(K))以下であり、かつ窒素原子よりも原子半径の小さい希ガスが存在する雰囲気下で650°C以上の熱処理を行う工程と、前記高誘電率金属酸化物絶縁膜を用いた機能素子を形成する工程を備えることを特徴とする高誘電率金属酸化物絶縁膜を有する半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 29/78 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316
FI (3)：
C23C 16/40 ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (39)：
4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF13 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK29 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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