半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997348663
Publication number (International publication number)：1999168212
Application date： Dec. 02, 1997
Publication date： Jun. 22, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、金属ゲート電極表面を低温で金属絶縁膜に変え、デバイスの、すなわち、回路・システムの信頼性を向上するデバイス構造、および、その製作方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置は、MOSデバイスのゲート電極を金属を用いて形成し、その側壁を金属絶縁膜に改質し、デバイスの信頼性を向上したことを特徴とする。また、良質な金属絶縁膜を、低温で形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1型の電気伝導性の基体と、前記基体の電気伝導性とは逆の第2型の電気伝導性を有し、前記基体中もしくは前記基体上に相互に間隔をあけて配置されて、相互間に基体中のチャネルを画定し、前記基体との電気接続部を形成する第1のソースおよびドレイン領域と、該第1のソースおよびドレイン領域間にあるが、該第1のソースおよびドレイン領域へもしくはいずれの領域へも電気的に直接接触しないように第1の絶縁層を介して、前記チャネルの上に置かれた金属ゲート電極を有する半導体装置において、該金属ゲート電極の該チャネルと接する面以外の少なくとも一部が該金属を含む絶縁膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (15)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146330 Applicant：大見忠弘
特開昭60-189968
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-274674 Applicant：大見忠弘

特開昭56-112758

半導体装置の製造方法及びその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-149982 Applicant：株式会社東芝

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-332174 Applicant：サムソンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-015638 Applicant：富士通株式会社

半導体装置のケイ素酸化膜の改質方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-044340 Applicant：株式会社高純度化学研究所

半導体集積回路およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-278704 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

特開昭58-192377

特開昭62-051264

半導体製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-175738 Applicant：大見忠弘

特開平4-242933

プラズマエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-064265 Applicant：ソニー株式会社

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-181335 Applicant：住友金属工業株式会社

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