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J-GLOBAL ID：200903061965187035

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： 奥野 浩司 ,  瀧 哲也 ,  豊田 優介
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005054121
Publication number (International publication number)：2006237539
Application date： Feb. 28, 2005
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：

【課題】アクセプタ不純物の添加された、少なくともアルミニウムを含むIII族窒化物系化合物半導体層の結晶性の向上。【解決手段】サファイヤ基板101の上に、順にAlNから成るバッファ層102、ノンドープのGaNから成る層103、シリコン(Si)をドープしたGaNから成るn型コンタクト層104、多重層105、ノンドープGaNから成る障壁層1062とノンドープIn0.2Ga0.8Nから成る井戸層1061がくり返し形成された多重量子井戸層からなる発光層106、Mgをドープしたp型Al0.2Ga0.8Nから成るp型層107、ノンドープのAl0.02Ga0.98Nから成る層108、Mgをドープしたのp型GaNから成るp型コンタクト層109を形成した。p型層107を窒素と水素の混合ガス(窒素濃度40〜80%)下でエピタキシャル成長させることで光強度が向上した。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

アクセプタ不純物の添加された、少なくともアルミニウムを含むIII族窒化物系化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法において、 前記アクセプタ不純物の添加された、少なくともアルミニウムを含むIII族窒化物系化合物半導体層を、水素と窒素の混合気体であって、当該混合気体中の窒素の割合を40%以上80%以下としたキャリアガス中で有機金属気相成長法により成長させることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01L33/00 C ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

F-Term (28)：

4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045EE12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特許第3376849号公報
  
• 特許第3424507号公報
  

Cited by examiner (2)

• GaN系化合物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-185864   Applicant：株式会社東芝
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-353833   Applicant：日亜化学工業株式会社