GaN系化合物半導体素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997185864
Publication number (International publication number)：1998075019
Application date： Jun. 26, 1997
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】高品質で結晶性にすぐれたInGaN発光層を形成し得る、高品質GaN系化合物半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 (Ga1-x N/Alx )1-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)系結晶材料を気相成長させるに際し,同一層およびヘテロ層のいずれにおいても、形成する層の成長を中断する成長中断工程の少なくとも一つの成長中断工程における雰囲気として、V族ガスを含む雰囲気であり、かつ、V族以外のキャリアガスとして不活性ガスを用いることによって、前記成長中断工程において露出している層の昇華を防止するようにしたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(Ga1-x Alx )1-y Iny N(0≦x≦1,0≦y≦1)系結晶材料を気相成長させるに際し,同一層およびヘテロ層のいずれにおいても、形成する層の成長を中断する成長中断工程の少なくとも一つの成長中断工程における雰囲気として、V族ガスを含む雰囲気であり、かつ、V族以外のキャリアガスとして不活性ガスを用いることによって、前記成長中断工程において露出している層の分解を防止するようにしたことを特徴とする、GaN系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-189337 Applicant：住友化学工業株式会社
p型窒化ガリウムの成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-042125 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体単結晶層の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-022085 Applicant：日亜化学工業株式会社

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