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J-GLOBAL ID：200903067380003301

発光素子

Inventor：
森田 大介

About 森田 大介

, 
山田 元量

About 山田 元量


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000353833
Publication number (International publication number)：2001237457
Application date： Nov. 21, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 Inを含む窒化物半導体からなる活性層を有する発光素子、特に長波長(550nm以上)の光を発光する発光素子の発光出力を向上させる。【解決手段】 n型半導体層とp型半導体層の間に活性層が形成された発光素子であって、活性層は、Inを含むInx1Ga1-x1N(x1>0)からなる井戸層と、その井戸層上に形成されるAlを含むAly2Ga1-y2N(y2>0)からなる第1障壁層とを含む。
Claim (excerpt)：
n型半導体層とp型半導体層の間に活性層が形成された発光素子であって、前記活性層は、Inを含むInx1Ga1-x1N(x1>0)からなる井戸層と、前記井戸層上に形成されるAlを含むAly2Ga1-y2N(y2>0)からなる第1障壁層とを含むことを特徴とする発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (14)：
5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA74 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073EA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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