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J-GLOBAL ID：200903061992420027

半導体装置及びその製造法

Inventor： 武田 信司 ,  増子 崇 ,  湯佐 正己 ,  菊池 宣 ,  宮寺 康夫 ,  前川 磐雄 ,  山崎 充夫 ,  景山 晃 ,  金田 愛三
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 富田 和子 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000043234
Publication number (International publication number)：2000200794
Application date： Jul. 08, 1996
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体装置実装時のはんだリフローにおいて、リフロークラックの発生を回避する。【解決手段】 吸水率が1.5体積%以下、飽和吸湿率が1.0体積%以下、残存揮発分が3.0重量%以下、または、250°Cにおける弾性率が10MPa以下の、フィルム状有機ダイボンディング材を介して、半導体素子を、リードフレームに接着する。

Claim (excerpt)：

支持部材と、半導体素子と、該支持部材に該半導体素子を接着するダイボンディング材と、該半導体素子を封止する樹脂封止部材とを備える半導体装置において、上記ダイボンディング材は、吸水率が1.5体積%以下の、有機物を含むフィルムであることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-003438
  
• 絶縁性ペースト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-020583   Applicant：東芝ケミカル株式会社
• 樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-040715   Applicant：株式会社日立製作所