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J-GLOBAL ID:200903062022727495

抵抗変化素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006190862
Publication number (International publication number):2008021750
Application date: Jul. 11, 2006
Publication date: Jan. 31, 2008
Summary:
【課題】抵抗変化層を薄くしてもリーク(およびそれに伴うショート)が少ない抵抗変化素子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリを提供する。【解決手段】第1の電極11と、第2の電極13と、第1の電極11と第2の電極14との間に積層された抵抗変化層12および絶縁層(トンネルバリア層14)とを含む。トンネルバリア層14の厚さは、0.5nm以上5nm以下である。抵抗変化層12は、第1の電極11と第2の電極13との間に電圧または電流を印加することによって、電気抵抗値が異なる複数の状態間で変化させることが可能な層である。抵抗変化層12は、遷移金属酸化物を主成分とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に積層された抵抗変化層および絶縁層とを含み、 前記絶縁層の厚さが0.5nm以上5nm以下であり、 前記抵抗変化層は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電圧または電流を印加することによって、電気抵抗値が異なる複数の状態間で変化させることが可能な層であり、 前記抵抗変化層が遷移金属酸化物を主成分とする抵抗変化素子。
IPC (1):
H01L 27/10
FI (1):
H01L27/10 451
F-Term (18):
5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR04 ,  5F083PR40
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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