可変抵抗を有するメモリデバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (11)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006536974
Publication number (International publication number)：2007533118
Application date： Oct. 22, 2004
Publication date： Nov. 15, 2007
Summary：

薄膜記憶デバイスは、第1電極(3)と、第1の可変抵抗薄膜(2)と、第2の電極(1)とを備える。第1の電極(3)は、基板(4)の表面上に形成される。第1の可変抵抗薄膜(2)は、第1の電極(3)の表面上に形成される。第2の電極(1)は、第1の可変抵抗薄膜(2)の表面上に形成される。第1の可変抵抗薄膜(2)は、格子歪みおよび電荷配列のうち少なくとも1つによってバルク状態における抵抗値が変化する材料を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の表面上に形成された第1の電極と、前記第1の電極の表面上に形成された可変抵抗薄膜と、前記可変抵抗薄膜の表面上に形成された第2の電極とを備え、前記可変抵抗薄膜は、格子歪みによってバルク状態における抵抗値が変化する材料を含む薄膜記憶デバイス。

IPC (4)：

H01L 27/10 , G11C 13/00 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (5)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A , H01L27/10 461 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA27 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA60 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

磁気制御素子とそれを用いた磁気部品及びメモリー装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-069861 Applicant：松下電器産業株式会社
特表平6-509909
特許第6204139号

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